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賈凡尼效應(yīng)是什么？

   我們?cè)谟懻摴に嚳煽啃曰蜻M(jìn)行失效分析的時(shí)候，我們經(jīng)常提到賈凡尼效應(yīng)、電化學(xué)遷移和爬行腐蝕等有關(guān)概念。

了解這些概念，對(duì)于我們進(jìn)行失效分析，可靠性設(shè)計(jì)非常重要。
 今天我們來(lái)講一下：賈凡尼效應(yīng)
 賈凡尼效應(yīng)又稱原電池效應(yīng)、電偶腐蝕，即相連的、活性不同的兩種金屬與電解質(zhì)溶液接觸發(fā)生原電池反應(yīng)，

比較活潑的金屬原子失去電子而被氧化(腐蝕)，其本質(zhì)就是活潑的金屬被氧化。
發(fā)生賈凡尼效應(yīng)的條件：
兩個(gè)活性不同的電極(兩種活性不同的金屬或者金屬與惰性電極)；
電解質(zhì)溶液(或潮濕的環(huán)境與腐蝕性氣氛)；
形成閉合回路(或正負(fù)極在電解質(zhì)溶液中接觸)。
一般活性比較強(qiáng)的金屬為負(fù)極，被溶解。金屬的活性順序如圖1-71所示。


效應(yīng) 在PCB的表面處理中，常見(jiàn)的賈凡尼現(xiàn)象如下。
(1)在Im-Ag過(guò)程中，阻焊膜邊緣下銅(Cu)的被腐蝕現(xiàn)象，如圖1-72所示。

在沉銀過(guò)程中，因?yàn)樽韬改づc銅裂縫的縫隙非常小，限制了沉銀液對(duì)此處的Ag 離子供應(yīng)； 

但是此處的Cu可以被腐蝕為Cu離子，然后在裂縫外的銅表面上發(fā)生沉銀反應(yīng)。

因?yàn)殡x子轉(zhuǎn)換是沉銀反應(yīng)的原動(dòng)力，所以裂縫下銅表面受攻擊程度與沉銀厚度直接相關(guān)。
 
(2)在選擇性 OSP/ENIG表面處理過(guò)程中OSP盤(pán)的被蝕現(xiàn)象。在做選擇 ENIG 表面處理時(shí)，首先進(jìn)行 ENIG處理再做OSP。

 由于在進(jìn)行OSP處理進(jìn)行微蝕，如果ENIG盤(pán)與銅盤(pán)(最終作為OSP盤(pán))之間有連接，那么 OSP處理的銅盤(pán)與 ENIG盤(pán)形成了賈凡尼效應(yīng)。

如果銅盤(pán)面積遠(yuǎn)小于EN盤(pán)面積小于ENIG盤(pán)面積的1/100)，則銅盤(pán)很可能被腐蝕掉。因此，鉛背板表面處理設(shè)計(jì)時(shí)，應(yīng)盡可能避免 ENIG與OSP區(qū)域處于同一網(wǎng)導(dǎo)通)。